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東芝巧妙加入橋接芯片：SSD速度、容量前所未見

行業(yè)新聞

導讀：SSD固態(tài)硬盤持續(xù)飛速發(fā)展，而在ISSCC 2019國際固態(tài)電路大會上，東芝介紹了他們的全新方案，利用小小的橋接芯片，可實現(xiàn)SSD在速度、容量兩個層面的大幅度提升。我們知道，SSD的結構都

發(fā)表日期：2020-07-11

文章編輯：興田科技

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SSD固態(tài)硬盤持續(xù)飛速發(fā)展，而在ISSCC 2019國際固態(tài)電路大會上，東芝介紹了他們的全新方案，利用小小的橋接芯片，可實現(xiàn)SSD在速度、容量兩個層面的大幅度提升。

我們知道，SSD的結構都是多顆閃存芯片連接一顆主控制器，由后者管理操作，而隨著閃存芯片越來越多，主控的操作速度會大大下降，所以SSD內能使用的閃存芯片數(shù)量是有限的，這就限制了整體容量和速度的提升。

為了提升SSD容量，就需要增加主控接口數(shù)量，但這會導致數(shù)量極其龐大的信號線連接到主控，使得SSD主板布局異常困難。

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東芝提出的新方案是在主控和閃存芯片之間放置多顆橋接芯片，并實現(xiàn)了三大創(chuàng)新：

1、以環(huán)形菊花鏈的方式連接主控和多顆橋接芯片，所需收發(fā)器數(shù)量從兩對減少到一對，減小芯片面積。

2、在主控和橋接芯片之間使用pAM4(四電平脈沖幅度調制)進行串行通信，以降低操作速度和性能壓力。

3、改進抖動(時鐘或信號波形時間域的波動)，橋接芯片中不再需要pLL電路(生成精確參考信號)，同時利用CDR電路(始終數(shù)據(jù)恢復)，降低功耗，縮小芯片面積。

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東芝目前的原型方案包含四顆橋接芯片，采用28nm CMOS工藝制造，所有橋接芯片和主控的速度都高達25.6Gbps，同時BER錯誤率低于10的負12次方。

相比之下，傳統(tǒng)方案最高只能達到9.6Gbps，布線復雜度卻高出2倍。

東芝表示，會繼續(xù)深入相關工作，包括提升橋接芯片性能、縮小面積、降低功耗，最終將SSD的高速度、大容量帶到前所未見的水平。

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【來源：快科技】【作者：上方文Q】

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